Infineon IRFR9024NTRRPBF
MOSFET, energía, P-Ch, VDSS -55V, RDS (ENCENDIDO) 0.175Ohm, identificación -11A, D-Pak (TO-252AA), paladio 38W
N.º de pieza del y Nº de parte: N.o de existencias de IRFR9024NTRRPBF / RS: 70017788
Precio
Cantidad
Precio estándar
3000
$1.254
6000
$1.2287
15000
$1.1913
30000
$1.1407
75000
$1.0659
150000
$0.9779
300000
$0.8778
Inventario adicional
Tasación a granel disponible
Especificaciones
Características
Valor del atributo
Buscar
Tipo de canal
P
Configuración
Se dobla el dren
Drene la corriente
-11 A
Drene a la fuente en resistencia
Ohmio de 0.175
Drene al voltaje de la fuente
-55 V
Transconductancia delantera
2.5 mA/V
Voltaje delantero, diodo
-1.6 V
Puerta al voltaje de la fuente
±20 V
Capacitancia de la entrada
350 pF @ -25 V pF
Temperatura de funcionamiento máximo
°C de 150
Temperatura de funcionamiento mínima
-°C de 55
Tipo del montaje
montaje superficial
Número de pernos
3
Tipo del paquete
DPAK
Polarización
P-Canal
Disipación de la energía
38 W
Tipo de Producto
MOSFET de la energía de Hexfet®
Serie
Serie de HEXFET
Rango de operación de la temperatura
-55 al °C de +150
Carga total de la puerta
19 nC
Dé vuelta apagado retrasa Tiempo
23 ns
Dé vuelta encendido retrasa Tiempo
13 ns
Voltaje, interrupción, dren a la fuente
-55 V